на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.58 грн |
| 17+ | 20.01 грн |
| 100+ | 9.78 грн |
| 1000+ | 7.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EM6K33T2R ROHM Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: EMT6, Part Status: Active.
Інші пропозиції EM6K33T2R за ціною від 9.31 грн до 42.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EM6K33T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 9100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EM6K33T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |