Продукція > ROHM > EM6K7T2CR
EM6K7T2CR

EM6K7T2CR ROHM

em6k7-e Виробник: ROHM
Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 0.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.06 грн
500+13.72 грн
1000+10.33 грн
5000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EM6K7T2CR ROHM

Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 0.8 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.8ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції EM6K7T2CR за ціною від 8.09 грн до 31.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EM6K7T2CR EM6K7T2CR Виробник : ROHM Semiconductor em6k7_e-1872988.pdf MOSFETs 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET
на замовлення 6838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.93 грн
14+24.37 грн
100+15.67 грн
500+12.65 грн
1000+9.27 грн
2500+9.20 грн
8000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR EM6K7T2CR Виробник : Rohm Semiconductor em6k7-e Description: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR EM6K7T2CR Виробник : ROHM em6k7-e.pdf Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 0.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR em6k7-e EM6K7T2CR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR EM6K7T2CR Виробник : Rohm Semiconductor em6k7-e Description: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.