Продукція > ROHM > EM6K7T2CR
EM6K7T2CR

EM6K7T2CR ROHM

em6k7-e Виробник: ROHM
Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 0.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.75 грн
500+ 10.72 грн
1000+ 7.03 грн
5000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EM6K7T2CR ROHM

Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 0.8 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.8ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції EM6K7T2CR за ціною від 6.51 грн до 28.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EM6K7T2CR EM6K7T2CR Виробник : ROHM em6k7-e Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 0.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+28.61 грн
32+ 23.85 грн
100+ 14.75 грн
500+ 10.72 грн
1000+ 7.03 грн
5000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 27
EM6K7T2CR EM6K7T2CR Виробник : ROHM Semiconductor em6k7-e MOSFET 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET
на замовлення 7520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.83 грн
13+ 24.14 грн
100+ 14.61 грн
500+ 11.43 грн
1000+ 8.37 грн
2500+ 8.1 грн
8000+ 7.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
EM6K7T2CR EM6K7T2CR Виробник : Rohm Semiconductor em6k7-e Description: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EM6K7T2CR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR em6k7-e EM6K7T2CR Multi channel transistors
товар відсутній
EM6K7T2CR EM6K7T2CR Виробник : Rohm Semiconductor em6k7-e Description: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
товар відсутній