Продукція > ROHM > EM6K7T2CR
EM6K7T2CR

EM6K7T2CR ROHM

em6k7-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+19.67 грн
500+13.81 грн
1000+10.38 грн
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EM6K7T2CR ROHM

Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції EM6K7T2CR за ціною від 7.80 грн до 49.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EM6K7T2CR EM6K7T2CR ROHM Semiconductor em6k7-e MOSFETs 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET
на замовлення 20139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.66 грн
11+30.21 грн
100+16.86 грн
500+12.75 грн
1000+10.38 грн
5000+8.64 грн
8000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR EM6K7T2CR ROHM em6k7-e.pdf Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.66 грн
27+30.64 грн
100+19.67 грн
500+13.81 грн
1000+10.38 грн
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR EM6K7T2CR Rohm Semiconductor em6k7-e Description: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR em6k7-e
EM6K7T2CR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET
на замовлення 20139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.66 грн
11+30.21 грн
100+16.86 грн
500+12.75 грн
1000+10.38 грн
5000+8.64 грн
8000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR em6k7-e.pdf
EM6K7T2CR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+49.66 грн
27+30.64 грн
100+19.67 грн
500+13.81 грн
1000+10.38 грн
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR em6k7-e
EM6K7T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.