Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EM6K7T2R
EM6K7T2R

EM6K7T2R Rohm Semiconductor

em6k7-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+9.84 грн
16000+8.75 грн
24000+8.38 грн
40000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EM6K7T2R Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: EMT6, Part Status: Active.

Інші пропозиції EM6K7T2R за ціною від 8.54 грн до 48.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EM6K7T2R EM6K7T2R Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0008995594_1-2562882.pdf MOSFETs TRNSISTR DUAL MOSFET
на замовлення 7758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.67 грн
11+34.29 грн
100+16.22 грн
1000+10.36 грн
8000+8.94 грн
24000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2R EM6K7T2R Виробник : Rohm Semiconductor em6k7-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 44100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.77 грн
12+28.92 грн
100+18.51 грн
500+13.16 грн
1000+11.80 грн
2000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR em6k7-e.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 200mA; Idm: 0.4A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.2A
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Power dissipation: 0.15W
Pulsed drain current: 0.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.