Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EM6M2T2R
EM6M2T2R

EM6M2T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EM6M2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 61000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+11.76 грн
16000+10.49 грн
24000+10.07 грн
40000+9.01 грн
56000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EM6M2T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції EM6M2T2R за ціною від 9.80 грн до 55.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EM6M2T2R EM6M2T2R ROHM em6m2t2r-e.pdf Description: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.91 грн
500+15.48 грн
1000+11.67 грн
5000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2R EM6M2T2R ROHM SEMICONDUCTOR EM6M2T2R.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.2/-0.2A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±8/±10V
On-state resistance: 1/1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 952 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.06 грн
15+28.92 грн
100+18.28 грн
500+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2R EM6M2T2R ROHM Semiconductor datasheet?p=EM6M2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
на замовлення 23383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.69 грн
10+33.42 грн
100+18.78 грн
500+14.29 грн
1000+11.67 грн
5000+9.87 грн
8000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2R EM6M2T2R ROHM em6m2t2r-e.pdf Description: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.69 грн
24+33.91 грн
100+21.91 грн
500+15.48 грн
1000+11.67 грн
5000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2R EM6M2T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6M2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 66632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.50 грн
100+21.64 грн
500+15.50 грн
1000+13.95 грн
2000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2R em6m2t2r-e.pdf
EM6M2T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+21.91 грн
500+15.48 грн
1000+11.67 грн
5000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2R EM6M2T2R.pdf
EM6M2T2R
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.2/-0.2A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±8/±10V
On-state resistance: 1/1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 952 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.06 грн
15+28.92 грн
100+18.28 грн
500+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2R datasheet?p=EM6M2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6M2T2R
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
на замовлення 23383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.69 грн
10+33.42 грн
100+18.78 грн
500+14.29 грн
1000+11.67 грн
5000+9.87 грн
8000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2R em6m2t2r-e.pdf
EM6M2T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+54.69 грн
24+33.91 грн
100+21.91 грн
500+15.48 грн
1000+11.67 грн
5000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2R datasheet?p=EM6M2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6M2T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 66632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.92 грн
10+33.50 грн
100+21.64 грн
500+15.50 грн
1000+13.95 грн
2000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.