EM6M2T2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 45500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 11.95 грн |
| 16000+ | 10.67 грн |
| 24000+ | 10.24 грн |
| 40000+ | 9.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EM6M2T2R Rohm Semiconductor
Description: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції EM6M2T2R за ціною від 8.39 грн до 61.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EM6M2T2R | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EM6M2T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.2/-0.2A Pulsed drain current: 0.4A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±8/±10V On-state resistance: 1/1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair |
на замовлення 2862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EM6M2T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.2/-0.2A Pulsed drain current: 0.4A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±8/±10V On-state resistance: 1/1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2862 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EM6M2T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 47861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EM6M2T2R | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EM6M2T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET |
на замовлення 26915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|