Продукція > ROHM > EMB11FHAT2R

EMB11FHAT2R ROHM


2311894.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMB11FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMB11FHAT2R ROHM

Description: ROHM - EMB11FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-563, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції EMB11FHAT2R за ціною від 4.32 грн до 29.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EMB11FHAT2R EMB11FHAT2R ROHM 2311894.pdf Description: ROHM - EMB11FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.85 грн
69+11.68 грн
109+7.39 грн
500+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB11FHAT2R EMB11FHAT2R Rohm Semiconductor SiC_SCS_AECQ.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 100MA EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
24+12.56 грн
100+7.89 грн
500+5.47 грн
1000+4.85 грн
2000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB11FHAT2R EMB11FHAT2R ROHM Semiconductor ROHM_S_A0002832604_1-2561874.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+PNP SOT-563 -50V VCC -0.1A IC
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.80 грн
15+22.23 грн
100+10.98 грн
500+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB11FHAT2R 2311894.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMB11FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+18.85 грн
69+11.68 грн
109+7.39 грн
500+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB11FHAT2R SiC_SCS_AECQ.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 100MA EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.97 грн
24+12.56 грн
100+7.89 грн
500+5.47 грн
1000+4.85 грн
2000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB11FHAT2R ROHM_S_A0002832604_1-2561874.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+PNP SOT-563 -50V VCC -0.1A IC
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.80 грн
15+22.23 грн
100+10.98 грн
500+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.