Продукція > ROHM > EMB11FHAT2R
EMB11FHAT2R

EMB11FHAT2R ROHM

2311894.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMB11FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.26 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMB11FHAT2R ROHM

Description: ROHM - EMB11FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції EMB11FHAT2R за ціною від 4.23 грн до 31.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EMB11FHAT2R EMB11FHAT2R Виробник : ROHM 2311894.pdf Description: ROHM - EMB11FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.37 грн
55+14.98 грн
131+6.29 грн
500+5.26 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
EMB11FHAT2R EMB11FHAT2R Виробник : Rohm Semiconductor SiC_SCS_AECQ.pdf Description: TRANS 2PNP 100MA EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
18+17.58 грн
100+8.86 грн
500+6.78 грн
1000+5.03 грн
2000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
EMB11FHAT2R EMB11FHAT2R Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0002832604_1-2561874.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+PNP SOT-563 -50V VCC -0.1A IC
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.68 грн
15+23.63 грн
100+11.67 грн
500+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
EMB11FHAT2R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR SiC_SCS_AECQ.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMB11FHAT2R EMB11FHAT2R Виробник : Rohm Semiconductor SiC_SCS_AECQ.pdf Description: TRANS 2PNP 100MA EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMB11FHAT2R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR SiC_SCS_AECQ.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.