EMB52T2R

EMB52T2R Rohm Semiconductor


datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMB52T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EMB52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції EMB52T2R за ціною від 3.40 грн до 30.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EMB52T2R EMB52T2R Виробник : ROHM emb52t2r-e.pdf Description: ROHM - EMB52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.50 грн
500+9.62 грн
1000+6.73 грн
5000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R EMB52T2R Виробник : ROHM emb52t2r-e.pdf Description: ROHM - EMB52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+24.38 грн
40+22.21 грн
100+15.50 грн
500+9.62 грн
1000+6.73 грн
5000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R EMB52T2R Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.39 грн
17+19.65 грн
100+9.94 грн
500+7.61 грн
1000+5.64 грн
2000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R EMB52T2R Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+PNP Digital transistor (with built-in resistors)
на замовлення 7499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.79 грн
17+22.23 грн
100+11.26 грн
500+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.