EMB53T2R

EMB53T2R Rohm Semiconductor


datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMB53T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EMB53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції EMB53T2R за ціною від 3.60 грн до 30.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EMB53T2R EMB53T2R Виробник : ROHM emb53t2r-e.pdf Description: ROHM - EMB53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.47 грн
1000+4.13 грн
5000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R EMB53T2R Виробник : ROHM emb53t2r-e.pdf Description: ROHM - EMB53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+25.93 грн
53+15.72 грн
126+6.54 грн
500+5.47 грн
1000+4.13 грн
5000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R EMB53T2R Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
17+18.58 грн
100+9.40 грн
500+7.19 грн
1000+5.34 грн
2000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R EMB53T2R Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+PNP Digital transistor (with built-in resistors)
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.22 грн
17+20.85 грн
100+7.49 грн
1000+4.70 грн
2500+4.48 грн
8000+3.74 грн
24000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.