Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EMB60T2R
EMB60T2R

EMB60T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EMB60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMB60T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EMB60T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: EMT, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції EMB60T2R за ціною від 3.18 грн до 27.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EMB60T2R EMB60T2R ROHM emb60.pdf Description: ROHM - EMB60T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: EMT
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.58 грн
500+6.04 грн
1000+4.43 грн
5000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB60T2R EMB60T2R ROHM datasheet?p=EMB60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - EMB60T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: EMT
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.97 грн
54+15.14 грн
100+9.58 грн
500+6.04 грн
1000+4.43 грн
5000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB60T2R EMB60T2R ROHM Semiconductor datasheet?p=EMB60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+PNP Digital transistor (with built-in resistors)
на замовлення 7934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.37 грн
18+17.78 грн
100+9.25 грн
500+6.14 грн
1000+4.14 грн
8000+3.24 грн
24000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB60T2R EMB60T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
17+18.17 грн
100+9.19 грн
500+7.04 грн
1000+5.22 грн
2000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB60T2R emb60.pdf
EMB60T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMB60T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: EMT
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+9.58 грн
500+6.04 грн
1000+4.43 грн
5000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB60T2R datasheet?p=EMB60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB60T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMB60T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: EMT
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+24.97 грн
54+15.14 грн
100+9.58 грн
500+6.04 грн
1000+4.43 грн
5000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB60T2R datasheet?p=EMB60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB60T2R
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+PNP Digital transistor (with built-in resistors)
на замовлення 7934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.37 грн
18+17.78 грн
100+9.25 грн
500+6.14 грн
1000+4.14 грн
8000+3.24 грн
24000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB60T2R datasheet?p=EMB60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB60T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.18 грн
17+18.17 грн
100+9.19 грн
500+7.04 грн
1000+5.22 грн
2000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.