EMD22T2R Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1155+ | 12.33 грн |
| 1194+ | 11.93 грн |
| 2500+ | 11.58 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1155 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMD22T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMD22T2R за ціною від 6.95 грн до 40.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EMD22T2R | ROHM Semiconductor |
 Digital Transistors PRE-BIASED 50V 100MA |
на замовлення 6795 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EMD22T2R | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 4715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EMD22 T2R | ROHM | SOT23-6 |
на замовлення 5090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| EMD22T2R |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PRE-BIASED 50V 100MA
Digital Transistors PRE-BIASED 50V 100MA
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 38.91 грн |
| 14+ | 21.61 грн |
| 100+ | 13.09 грн |
| 500+ | 10.38 грн |
| 1000+ | 8.70 грн |
| 2500+ | 8.34 грн |
| 5000+ | 6.95 грн |
| EMD22T2R |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.11 грн |
| 13+ | 24.07 грн |
| 100+ | 15.33 грн |
| 500+ | 10.85 грн |
| 1000+ | 9.71 грн |
| 2000+ | 8.75 грн |