EMD29T2R Rohm Semiconductor
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 694+ | 17.47 грн |
| 720+ | 16.84 грн |
| 1000+ | 16.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMD29T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 120mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz, Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMD29T2R за ціною від 8.23 грн до 42.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EMD29T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EMD29T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50/12V Mounting: SMD Case: SOT563F Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1/0.5A Power dissipation: 0.15W Collector-emitter voltage: 50/12V Base resistor: 1/10kΩ Base-emitter resistor: 10/10kΩ Frequency: 255MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EMD29T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50/12V Mounting: SMD Case: SOT563F Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1/0.5A Power dissipation: 0.15W Collector-emitter voltage: 50/12V Base resistor: 1/10kΩ Base-emitter resistor: 10/10kΩ Frequency: 255MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EMD29T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EMD29T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
EMD29T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN PNP 500MA 6PIN |
товару немає в наявності |