EMD29T2R Rohm Semiconductor
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 748+ | 16.28 грн |
| 776+ | 15.69 грн |
| 1000+ | 15.18 грн |
| 2500+ | 14.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMD29T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 120mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz, Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMD29T2R за ціною від 10.55 грн до 43.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EMD29T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
EMD29T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| EMD29T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
EMD29T2R Complementary transistors |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
EMD29T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
EMD29T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN PNP 500MA 6PIN |
товару немає в наявності |