EMD3FHAT2R

EMD3FHAT2R Rohm Semiconductor


umd3nfhatr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1324+9.77 грн
1369+9.45 грн
2500+9.18 грн
5000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 1324
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMD3FHAT2R Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: EMT6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції EMD3FHAT2R за ціною від 7.06 грн до 25.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EMD3FHAT2R EMD3FHAT2R Виробник : Rohm Semiconductor emd3fhat2r-e.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.16 грн
20+15.75 грн
100+10.30 грн
500+8.47 грн
1000+7.72 грн
2000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3FHAT2R EMD3FHAT2R Виробник : ROHM Semiconductor emd3fhat2r-e.pdf Digital Transistors Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors, NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.93 грн
20+16.64 грн
100+8.39 грн
500+7.62 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3FHAT2R EMD3FHAT2R Виробник : Rohm Semiconductor umd3nfhatr-e.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3FHAT2R EMD3FHAT2R Виробник : Rohm Semiconductor emd3fhat2r-e.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.