EMD3FHAT2R Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1324+ | 10.68 грн |
| 1369+ | 10.33 грн |
| 2500+ | 10.03 грн |
| 5000+ | 9.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMD3FHAT2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: EMT6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції EMD3FHAT2R за ціною від 7.47 грн до 35.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
EMD3FHAT2R | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
EMD3FHAT2R | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors, NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EMD3FHAT2R | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 650 шт В кошику од. на суму грн. |
| EMD3FHAT2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.65 грн |
| 15+ | 20.89 грн |
| 100+ | 13.25 грн |
| 500+ | 9.32 грн |
| 1000+ | 8.32 грн |
| 2000+ | 7.47 грн |
| EMD3FHAT2R |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors, NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive
Digital Transistors Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors, NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| EMD3FHAT2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




