Продукція > ONSEMI > EMD4DXV6T1G
EMD4DXV6T1G

EMD4DXV6T1G onsemi

emd4dxv6-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMD4DXV6T1G onsemi

Description: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції EMD4DXV6T1G за ціною від 3.72 грн до 38.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
EMD4DXV6T1G EMD4DXV6T1G ONSEMI ONSM-S-A0015183151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.09 грн
112+7.18 грн
500+5.29 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1G EMD4DXV6T1G ONSEMI ONSM-S-A0015183151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+17.60 грн
73+11.09 грн
112+7.18 грн
500+5.29 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1G EMD4DXV6T1G onsemi EMD4DXV6_D-2310988.pdf Digital Transistors Dual Complementary NPN & PNP Digital
на замовлення 7570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.42 грн
15+21.31 грн
100+7.65 грн
1000+4.82 грн
4000+4.48 грн
8000+4.00 грн
24000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1G EMD4DXV6T1G onsemi emd4dxv6-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.75 грн
11+27.76 грн
100+15.73 грн
500+9.78 грн
1000+7.50 грн
2000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1G ON Semiconductor emd4dxv6-d.pdf
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1G ONSM-S-A0015183151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EMD4DXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.09 грн
112+7.18 грн
500+5.29 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1G ONSM-S-A0015183151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EMD4DXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
46+17.60 грн
73+11.09 грн
112+7.18 грн
500+5.29 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1G EMD4DXV6_D-2310988.pdf
EMD4DXV6T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors Dual Complementary NPN & PNP Digital
на замовлення 7570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+31.42 грн
15+21.31 грн
100+7.65 грн
1000+4.82 грн
4000+4.48 грн
8000+4.00 грн
24000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1G emd4dxv6-d.pdf
EMD4DXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+38.75 грн
11+27.76 грн
100+15.73 грн
500+9.78 грн
1000+7.50 грн
2000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1G emd4dxv6-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.