Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EMD53T2R
EMD53T2R

EMD53T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EMD53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMD53T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції EMD53T2R за ціною від 2.26 грн до 36.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EMD53T2R EMD53T2R Виробник : ROHM emd53t2r-e.pdf Description: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+12.38 грн
104+8.01 грн
223+3.71 грн
500+3.14 грн
1000+2.55 грн
5000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
EMD53T2R EMD53T2R Виробник : ROHM emd53t2r-e.pdf Description: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.38 грн
104+8.01 грн
223+3.71 грн
500+3.14 грн
1000+2.55 грн
5000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EMD53T2R EMD53T2R Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=EMD53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
14+22.38 грн
100+11.30 грн
500+8.65 грн
1000+6.42 грн
2000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMD53T2R EMD53T2R Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=EMD53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
на замовлення 6623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.74 грн
15+22.59 грн
100+8.75 грн
1000+5.66 грн
2500+5.30 грн
8000+4.34 грн
48000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMD53T2R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=EMD53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key EMD53T2R Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.