EMD59T2R

EMD59T2R Rohm Semiconductor


datasheet?p=EMD59&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+5.86 грн
16000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMD59T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції EMD59T2R за ціною від 3.92 грн до 37.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EMD59T2R EMD59T2R Виробник : ROHM emd59-e.pdf Description: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.66 грн
1000+5.27 грн
5000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2R EMD59T2R Виробник : ROHM emd59-e.pdf Description: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+30.64 грн
45+19.05 грн
100+8.97 грн
500+7.66 грн
1000+5.27 грн
5000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2R EMD59T2R Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=EMD59&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.28 грн
14+22.95 грн
100+11.59 грн
500+8.87 грн
1000+6.58 грн
2000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2R EMD59T2R Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=EMD59&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.68 грн
13+27.34 грн
100+8.98 грн
1000+5.96 грн
2500+5.43 грн
8000+4.45 грн
48000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=EMD59&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key EMD59T2R Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.