Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EMD59T2R
EMD59T2R

EMD59T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EMD59&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+5.56 грн
16000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMD59T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-563, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції EMD59T2R за ціною від 5.26 грн до 32.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EMD59T2R EMD59T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMD59&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
14+21.79 грн
100+11.01 грн
500+8.42 грн
1000+6.25 грн
2000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2R EMD59T2R ROHM Semiconductor datasheet?p=EMD59&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2R EMD59T2R ROHM datasheet?p=EMD59&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2R EMD59T2R ROHM datasheet?p=EMD59&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2R datasheet?p=EMD59&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMD59T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.55 грн
14+21.79 грн
100+11.01 грн
500+8.42 грн
1000+6.25 грн
2000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2R datasheet?p=EMD59&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMD59T2R
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2R datasheet?p=EMD59&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMD59T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2R datasheet?p=EMD59&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMD59T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.