Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EMD62T2R
EMD62T2R

EMD62T2R Rohm Semiconductor

emd62t2r-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1654+8.61 грн
1711+8.32 грн
2500+8.08 грн
5000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 1654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1654 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMD62T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції EMD62T2R за ціною від 4.10 грн до 30.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EMD62T2R EMD62T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMD62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 5892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.45 грн
20+15.37 грн
100+9.69 грн
500+6.76 грн
1000+6.00 грн
2000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2R EMD62T2R ROHM Semiconductor datasheet?p=EMD62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors Complex Digital Transistor
на замовлення 8188 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
11+30.12 грн
17+18.08 грн
100+9.95 грн
500+7.39 грн
1000+5.85 грн
5000+5.70 грн
8000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2R EMD62T2R ROHM emd62t2r-e.pdf Description: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2R EMD62T2R Rohm Semiconductor emd62t2r-e.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2R EMD62T2R Rohm Semiconductor emd62t2r-e.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2R EMD62T2R ROHM emd62t2r-e.pdf Description: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2R datasheet?p=EMD62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMD62T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 5892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.45 грн
20+15.37 грн
100+9.69 грн
500+6.76 грн
1000+6.00 грн
2000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2R datasheet?p=EMD62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMD62T2R
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors Complex Digital Transistor
на замовлення 8188 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.12 грн
17+18.08 грн
100+9.95 грн
500+7.39 грн
1000+5.85 грн
5000+5.70 грн
8000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2R emd62t2r-e.pdf
EMD62T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2R emd62t2r-e.pdf
EMD62T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2R emd62t2r-e.pdf
EMD62T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2R emd62t2r-e.pdf
EMD62T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.