EMD6FHAT2R Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1552+ | 9.12 грн |
| 1605+ | 8.82 грн |
| 2500+ | 8.56 грн |
| 5000+ | 8.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMD6FHAT2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: EMT6, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції EMD6FHAT2R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
EMD6FHAT2R | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN+PNP SOT-563 4.7kO Input Resist |
на замовлення 5949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| EMD6FHAT2R |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN+PNP SOT-563 4.7kO Input Resist
Bipolar Transistors - BJT NPN+PNP SOT-563 4.7kO Input Resist
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



