EMD6T2R Rohm Semiconductor
на замовлення 7799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 513+ | 1.35 грн |
| 625+ | 1.11 грн |
| 630+ | 1.10 грн |
| 635+ | 1.05 грн |
| 942+ | 0.66 грн |
| 953+ | 0.62 грн |
| 1291+ | 0.46 грн |
| 1740+ | 0.34 грн |
| 3000+ | 0.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMD6T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: EMT6, Part Status: Active.
Інші пропозиції EMD6T2R за ціною від 6.04 грн до 32.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EMD6T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EMD6T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EMD6T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 100MA |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| EMD6-T2R |
на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| EMD6T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
EMD6T2R Complementary transistors |
товару немає в наявності |