Продукція > ONSEMI > EMG2DXV5T5G
EMG2DXV5T5G

EMG2DXV5T5G onsemi

emg5dxv5-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMG2DXV5T5G onsemi

Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SOT-553, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції EMG2DXV5T5G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EMG2DXV5T5G EMG2DXV5T5G ONSEMI 2907496.pdf Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SOT-553
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMG2DXV5T5G EMG2DXV5T5G ONSEMI 2907496.pdf Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SOT-553
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 40636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMG2DXV5T5G EMG2DXV5T5G onsemi emg5dxv5-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMG2DXV5T5G ON Semiconductor EMG5DXV5-D-111844.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V Dual BRT NPN
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMG2DXV5T5G 2907496.pdf
EMG2DXV5T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SOT-553
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMG2DXV5T5G 2907496.pdf
EMG2DXV5T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SOT-553
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 40636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMG2DXV5T5G emg5dxv5-d.pdf
EMG2DXV5T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMG2DXV5T5G EMG5DXV5-D-111844.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V Dual BRT NPN
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.