Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EMG2T2R
EMG2T2R

EMG2T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EMG2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.29 грн
13+23.93 грн
100+16.27 грн
500+11.45 грн
1000+8.59 грн
2000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMG2T2R Rohm Semiconductor

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5, Part Status: Active, Supplier Device Package: EMT5, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 150mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції EMG2T2R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EMG2T2R EMG2T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMG2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMG2T2R EMG2T2R ROHM Semiconductor emg2t2r-e-1018058.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 30MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMG2T2R datasheet?p=EMG2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMG2T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMG2T2R emg2t2r-e-1018058.pdf
EMG2T2R
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 30MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.