EMG8T2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT5
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 6.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMG8T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT5.
Інші пропозиції EMG8T2R за ціною від 6.19 грн до 25.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EMG8T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT5 |
на замовлення 15975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EMG8T2R | Виробник : ROHM |
|
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| EMG8T2R | Виробник : ROHM |
0449+ EMT5 |
на замовлення 9260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| EMG8T2R | Виробник : ROHM |
EMT5 0449+ |
на замовлення 9260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| EMG8 T2R | Виробник : ROHM | SOT25/SOT353 |
на замовлення 5970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| EMG8 T2R | Виробник : ROHM | SOT553 |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| EMG8T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT553; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 150mW Case: SOT553 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
EMG8T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 100MA |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| EMG8T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT553; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 150mW Case: SOT553 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
товар відсутній |