Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EMG8T2R
EMG8T2R

EMG8T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EMG8&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT5
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMG8T2R Rohm Semiconductor

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT5.

Інші пропозиції EMG8T2R за ціною від 7.04 грн до 29.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EMG8T2R EMG8T2R Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=EMG8&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT5
на замовлення 15975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.40 грн
15+21.55 грн
100+12.94 грн
500+11.24 грн
1000+7.64 грн
2000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
EMG8T2R Виробник : ROHM datasheet?p=EMG8&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMG8T2R Виробник : ROHM datasheet?p=EMG8&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key 0449+ EMT5
на замовлення 9260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMG8T2R Виробник : ROHM datasheet?p=EMG8&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key EMT5 0449+
на замовлення 9260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMG8 T2R Виробник : ROHM SOT25/SOT353
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMG8 T2R Виробник : ROHM SOT553
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMG8T2R EMG8T2R Виробник : ROHM Semiconductor emg8t2r-e-1018040.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.