EMH10FHAT2R

EMH10FHAT2R ROHM Semiconductor


ROHM_S_A0002832617_1-2561773.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN+NPN SOT-563 50V VCC 0.1A IC
на замовлення 1342 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+27.81 грн
19+18.93 грн
100+9.94 грн
1000+5.28 грн
2500+4.11 грн
8000+3.42 грн
24000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMH10FHAT2R ROHM Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції EMH10FHAT2R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EMH10FHAT2R EMH10FHAT2R Виробник : Rohm Semiconductor EMT6_Marking.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMH10FHAT2R EMH10FHAT2R Виробник : Rohm Semiconductor EMT6_Marking.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.