Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EMH10FHAT2R
EMH10FHAT2R

EMH10FHAT2R ROHM Semiconductor

ROHM_S_A0002832617_1-2561773.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN+NPN SOT-563 50V VCC 0.1A IC
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+24.73 грн
19+16.83 грн
100+8.84 грн
1000+4.69 грн
2500+3.66 грн
8000+3.04 грн
24000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMH10FHAT2R ROHM Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: EMT6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 150mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції EMH10FHAT2R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EMH10FHAT2R EMH10FHAT2R Rohm Semiconductor EMT6_Marking.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMH10FHAT2R EMH10FHAT2R Rohm Semiconductor EMT6_Marking.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMH10FHAT2R EMT6_Marking.pdf
EMH10FHAT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMH10FHAT2R EMT6_Marking.pdf
EMH10FHAT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.