EMH10T2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.52 грн |
| 13+ | 23.28 грн |
| 100+ | 14.77 грн |
| 500+ | 10.42 грн |
| 1000+ | 9.31 грн |
| 2000+ | 8.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMH10T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMH10T2R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
EMH10T2R | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| EMH10T2R |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA
Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)