на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 32.88 грн |
| 15+ | 24.91 грн |
| 100+ | 12.03 грн |
| 1000+ | 7.61 грн |
| 8000+ | 6.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMH10T2R ROHM Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMH10T2R за ціною від 9.08 грн до 42.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
EMH10T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 6470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EMH10T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
товару немає в наявності |

