EMH11T2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 7.05 грн |
| 16000+ | 6.11 грн |
| 24000+ | 6.02 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMH11T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMH11T2R за ціною від 5.70 грн до 38.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
EMH11T2R | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EMH11T2R | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 27909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EMH11T2R | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DUAL NPN 50V 50MA |
на замовлення 6561 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EMH11 T2R | ROHM | SOT153-H11 |
на замовлення 6512 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| EMH11T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1418+ | 10.04 грн |
| 1467+ | 9.71 грн |
| 2500+ | 9.43 грн |
| 5000+ | 8.84 грн |
| 10000+ | 7.99 грн |
| EMH11T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 27909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.77 грн |
| 15+ | 20.35 грн |
| 100+ | 12.22 грн |
| 500+ | 10.62 грн |
| 1000+ | 7.22 грн |
| 2000+ | 6.65 грн |
| EMH11T2R |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors DUAL NPN 50V 50MA
Digital Transistors DUAL NPN 50V 50MA
на замовлення 6561 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 38.91 грн |
| 13+ | 23.55 грн |
| 100+ | 13.09 грн |
| 500+ | 9.80 грн |
| 1000+ | 7.90 грн |
| 5000+ | 7.17 грн |
| 8000+ | 5.70 грн |



