EMH1307-TL-H onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8EMH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-EMH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1902+ | 12.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMH1307-TL-H onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8EMH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Supplier Device Package: 8-EMH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V.
Інші пропозиції EMH1307-TL-H за ціною від 21.87 грн до 21.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EMH1307-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - EMH1307-TL-H - EMH1307-TL-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
EMH1307-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8EMH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Supplier Device Package: 8-EMH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |