Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EMH1FHAT2R
EMH1FHAT2R

EMH1FHAT2R ROHM Semiconductor

ROHM_S_A0002832465_1-2561799.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN+NPN SOT-563 50V VCC 0.1A IC
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.71 грн
17+19.69 грн
100+9.66 грн
1000+5.18 грн
8000+3.31 грн
24000+3.18 грн
48000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMH1FHAT2R ROHM Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6, Power - Max: 150mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: EMT6, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA.

Інші пропозиції EMH1FHAT2R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EMH1FHAT2R EMH1FHAT2R Rohm Semiconductor EMT6_T2R_taping.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMH1FHAT2R EMH1FHAT2R Rohm Semiconductor EMT6_T2R_taping.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMH1FHAT2R EMT6_T2R_taping.pdf
EMH1FHAT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMH1FHAT2R EMT6_T2R_taping.pdf
EMH1FHAT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.