EMH1FHAT2R

EMH1FHAT2R ROHM Semiconductor


ROHM_S_A0002832465_1-2561799.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN+NPN SOT-563 50V VCC 0.1A IC
на замовлення 7975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.16 грн
17+22.14 грн
100+10.87 грн
1000+5.82 грн
8000+3.73 грн
24000+3.57 грн
48000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMH1FHAT2R ROHM Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: EMT6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції EMH1FHAT2R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EMH1FHAT2R EMH1FHAT2R Виробник : Rohm Semiconductor EMT6_T2R_taping.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMH1FHAT2R EMH1FHAT2R Виробник : Rohm Semiconductor EMT6_T2R_taping.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 100MA EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.