EMH25FHAT2R ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - EMH25FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Polarität des Digitaltransistors: Zweifach NPN
Bauform - Transistor: SOT-563
Bauform - HF-Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMH25FHAT2R ROHM
Description: ROHM - EMH25FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Polarität des Digitaltransistors: Zweifach NPN, Bauform - Transistor: SOT-563, Bauform - HF-Transistor: SOT-563, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1Verhältnis, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції EMH25FHAT2R за ціною від 3.09 грн до 26.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EMH25FHAT2R | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - EMH25FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EMH25FHAT2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN+NPN SOT-563 50V VCC 0.1A IC |
на замовлення 7360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| EMH25FHAT2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 4.7kΩ Case: SOT563 Mounting: SMD Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| EMH25FHAT2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 4.7kΩ Case: SOT563 Mounting: SMD Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 |
товару немає в наявності |