Продукція > ONSEMI > EMH2801-TL-H
EMH2801-TL-H

EMH2801-TL-H onsemi


Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3A 8EMH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-EMH
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 503980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1665+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMH2801-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - EMH2801-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.065 ohm, EMH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: EMH, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.

Інші пропозиції EMH2801-TL-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EMH2801-TL-H EMH2801-TL-H ONSEMI Description: ONSEMI - EMH2801-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.065 ohm, EMH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: EMH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 533980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMH2801-TL-H ONN
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMH2801-TL-H
EMH2801-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EMH2801-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.065 ohm, EMH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: EMH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 533980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMH2801-TL-H
Виробник: ONN
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.