EMH3T2R Rohm Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1505+ | 8.21 грн |
| 1555+ | 7.94 грн |
| 2500+ | 7.71 грн |
| 5000+ | 7.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMH3T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMH3T2R за ціною від 5.55 грн до 40.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EMH3T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 7870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EMH3T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 8173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EMH3T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA |
на замовлення 15427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| EMH3T2R | Виробник : ROHM |
08+ SMD |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| EMH3 T2R | Виробник : ROHM | EMT6 SOT563 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
EMH3T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
товару немає в наявності |