| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.00 грн |
| 15+ | 22.23 грн |
| 100+ | 12.36 грн |
| 500+ | 9.18 грн |
| 1000+ | 7.46 грн |
| 5000+ | 6.56 грн |
| 8000+ | 5.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMH3T2R ROHM Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMH3T2R за ціною від 7.96 грн до 37.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EMH3T2R | Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6Supplier Device Package: EMT6 Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 8173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| EMH3T2R | ROHM |
08+ SMD |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| EMH3 T2R | ROHM | EMT6 SOT563 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| EMH3T2R |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.28 грн |
| 14+ | 22.14 грн |
| 100+ | 14.04 грн |
| 500+ | 9.91 грн |
| 1000+ | 8.85 грн |
| 2000+ | 7.96 грн |