Продукція > ROHM > EMH53T2R
EMH53T2R

EMH53T2R ROHM

emh53t2r-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMH53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+9.10 грн
500+5.72 грн
1000+4.18 грн
5000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMH53T2R ROHM

Description: ROHM - EMH53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції EMH53T2R за ціною від 3.41 грн до 24.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EMH53T2R EMH53T2R ROHM Semiconductor datasheet?p=EMH53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN+NPN, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.52 грн
23+14.13 грн
100+7.73 грн
500+5.73 грн
1000+4.49 грн
2500+4.35 грн
5000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMH53T2R EMH53T2R ROHM emh53t2r-e.pdf Description: ROHM - EMH53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.68 грн
56+14.42 грн
100+9.10 грн
500+5.72 грн
1000+4.18 грн
5000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMH53T2R EMH53T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMH53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 7923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.36 грн
100+9.01 грн
500+6.26 грн
1000+5.55 грн
2000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMH53T2R datasheet?p=EMH53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMH53T2R
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN+NPN, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.52 грн
23+14.13 грн
100+7.73 грн
500+5.73 грн
1000+4.49 грн
2500+4.35 грн
5000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMH53T2R emh53t2r-e.pdf
EMH53T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMH53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+23.68 грн
56+14.42 грн
100+9.10 грн
500+5.72 грн
1000+4.18 грн
5000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMH53T2R datasheet?p=EMH53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMH53T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 7923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.85 грн
21+14.36 грн
100+9.01 грн
500+6.26 грн
1000+5.55 грн
2000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.