EMH60T2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 5.09 грн |
| 16000+ | 4.47 грн |
| 24000+ | 4.26 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMH60T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V EMT6, Supplier Device Package: EMT6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 150mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції EMH60T2R за ціною від 4.46 грн до 27.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
EMH60T2R | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Kind of transistor: BRT Current gain: 80 Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V |
на замовлення 7656 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EMH60T2R | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V EMT6Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: EMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA |
на замовлення 39007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EMH60T2R | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN+NPN, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) |
на замовлення 160464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| EMH60T2R |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Kind of transistor: BRT
Current gain: 80
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Kind of transistor: BRT
Current gain: 80
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 7656 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 26.19 грн |
| 25+ | 17.44 грн |
| 100+ | 9.49 грн |
| 500+ | 6.47 грн |
| 1000+ | 5.66 грн |
| 2000+ | 5.05 грн |
| 5000+ | 4.46 грн |
| EMH60T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V EMT6
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V EMT6
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
на замовлення 39007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.43 грн |
| 19+ | 16.15 грн |
| 100+ | 10.16 грн |
| 500+ | 7.09 грн |
| 1000+ | 6.30 грн |
| 2000+ | 5.63 грн |
| EMH60T2R |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN+NPN, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
Digital Transistors NPN+NPN, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 160464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



