EMT1FHAT2R

EMT1FHAT2R ROHM Semiconductor


ROHM_S_A0002832573_1-2561622.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP+PNP General Purpose Amplification Transistor
на замовлення 7756 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.66 грн
12+30.98 грн
100+16.85 грн
500+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMT1FHAT2R ROHM Semiconductor

Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: EMT6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції EMT1FHAT2R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EMT1FHAT2R EMT1FHAT2R Виробник : Rohm Semiconductor EMT1FHA.pdf Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMT1FHAT2R EMT1FHAT2R Виробник : Rohm Semiconductor EMT1FHA.pdf Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.