Продукція > ONSEMI > EMX1DXV6T1G
EMX1DXV6T1G

EMX1DXV6T1G onsemi

EMX1DXV6T1_D-2310829.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual NPN
на замовлення 4472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.73 грн
12+ 26.81 грн
100+ 13.15 грн
500+ 8.77 грн
1000+ 6.78 грн
4000+ 5.18 грн
8000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMX1DXV6T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Інші пропозиції EMX1DXV6T1G за ціною від 6.04 грн до 35.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EMX1DXV6T1G EMX1DXV6T1G Виробник : onsemi emx1dxv6t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.93 грн
11+ 25.74 грн
100+ 14.59 грн
500+ 9.06 грн
1000+ 6.95 грн
2000+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
EMX1DXV6T1G Виробник : ON Semiconductor emx1dxv6t1-d.pdf
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMX1DXV6T1G EMX1DXV6T1G Виробник : ON Semiconductor emx1dxv6t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
EMX1DXV6T1G EMX1DXV6T1G Виробник : ON Semiconductor emx1dxv6t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
EMX1DXV6T1G EMX1DXV6T1G Виробник : onsemi emx1dxv6t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товар відсутній