Продукція > ONSEMI > EMX1DXV6T1G
EMX1DXV6T1G

EMX1DXV6T1G onsemi

emx1dxv6t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+6.06 грн
8000+5.30 грн
12000+5.02 грн
20000+4.42 грн
28000+4.25 грн
40000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMX1DXV6T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-563, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 500mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції EMX1DXV6T1G за ціною від 6.08 грн до 29.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
EMX1DXV6T1G EMX1DXV6T1G onsemi emx1dxv6t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual NPN
на замовлення 12636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.01 грн
19+17.59 грн
100+9.64 грн
500+7.16 грн
1000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMX1DXV6T1G EMX1DXV6T1G onsemi emx1dxv6t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 55457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
18+17.39 грн
100+10.95 грн
500+7.65 грн
1000+6.80 грн
2000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMX1DXV6T1G ON Semiconductor emx1dxv6t1-d.pdf
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMX1DXV6T1G emx1dxv6t1-d.pdf
EMX1DXV6T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual NPN
на замовлення 12636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+29.01 грн
19+17.59 грн
100+9.64 грн
500+7.16 грн
1000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMX1DXV6T1G emx1dxv6t1-d.pdf
EMX1DXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 55457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.45 грн
18+17.39 грн
100+10.95 грн
500+7.65 грн
1000+6.80 грн
2000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMX1DXV6T1G emx1dxv6t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.