Продукція > ONSEMI > EMX1DXV6T1G
EMX1DXV6T1G

EMX1DXV6T1G onsemi

emx1dxv6t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.46 грн
8000+5.64 грн
12000+5.35 грн
20000+4.71 грн
28000+4.53 грн
40000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMX1DXV6T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Інші пропозиції EMX1DXV6T1G за ціною від 4.58 грн до 31.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EMX1DXV6T1G EMX1DXV6T1G Виробник : onsemi EMX1DXV6T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual NPN
на замовлення 75738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.99 грн
25+14.49 грн
100+8.63 грн
500+6.95 грн
1000+6.41 грн
2000+5.96 грн
4000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
EMX1DXV6T1G EMX1DXV6T1G Виробник : onsemi emx1dxv6t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 55457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.39 грн
18+18.54 грн
100+11.67 грн
500+8.15 грн
1000+7.25 грн
2000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
EMX1DXV6T1G Виробник : ON Semiconductor emx1dxv6t1-d.pdf
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMX1DXV6T1G EMX1DXV6T1G Виробник : ON Semiconductor emx1dxv6t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMX1DXV6T1G EMX1DXV6T1G Виробник : ON Semiconductor emx1dxv6t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMX1DXV6T1G Виробник : ONSEMI emx1dxv6t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 120...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.