Технічний опис EMX1DXV6T5G ON Semiconductor
Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-563, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 500mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції EMX1DXV6T5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
EMX1DXV6T5G | onsemi |
 Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Obsolete |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
EMX1DXV6T5G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual NPN |
на замовлення 90514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| EMX1DXV6T5G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 7950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| EMX1DXV6T5G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EMX1DXV6T5G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual NPN
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual NPN
на замовлення 90514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| EMX1DXV6T5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)