EMX51T2R ROHM Semiconductor
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 26.25 грн |
| 22+ | 16.15 грн |
| 100+ | 8.76 грн |
| 1000+ | 5.81 грн |
| 2500+ | 4.83 грн |
| 8000+ | 3.70 грн |
| 24000+ | 3.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMX51T2R ROHM Semiconductor
Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMX51T2R за ціною від 4.66 грн до 28.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EMX51T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 7985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EMX51T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: EMT6 |
товару немає в наявності |