EMX51T2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: EMT6
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.71 грн |
| 17+ | 18.76 грн |
| 100+ | 9.45 грн |
| 500+ | 7.24 грн |
| 1000+ | 5.37 грн |
| 2000+ | 4.52 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
12 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMX51T2R Rohm Semiconductor
Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMX51T2R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
EMX51T2R | Rohm Semiconductor |
Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: EMT6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
EMX51T2R | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor SOT-563 SC-107C EMT6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
| EMX51T2R |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: EMT6
Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: EMT6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EMX51T2R |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor SOT-563 SC-107C EMT6
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor SOT-563 SC-107C EMT6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.