EMX52T2R Rohm Semiconductor


datasheet?p=EMX52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMX52T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EMX52T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

Інші пропозиції EMX52T2R за ціною від 3.91 грн до 32.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EMX52T2R EMX52T2R ROHM emx52t2r-e.pdf Description: ROHM - EMX52T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 7760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.47 грн
58+13.93 грн
100+8.78 грн
500+6.04 грн
1000+4.47 грн
5000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMX52T2R EMX52T2R ROHM Semiconductor datasheet?p=EMX52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN+NPN, SOT-563, Driver Transistor
на замовлення 12660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.34 грн
20+16.12 грн
100+8.77 грн
500+6.56 грн
1000+5.25 грн
2500+5.18 грн
5000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMX52T2R EMX52T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMX52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+22.06 грн
100+11.14 грн
500+8.52 грн
1000+6.32 грн
2000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMX52T2R emx52t2r-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMX52T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 7760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+22.47 грн
58+13.93 грн
100+8.78 грн
500+6.04 грн
1000+4.47 грн
5000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMX52T2R datasheet?p=EMX52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN+NPN, SOT-563, Driver Transistor
на замовлення 12660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+26.34 грн
20+16.12 грн
100+8.77 грн
500+6.56 грн
1000+5.25 грн
2500+5.18 грн
5000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMX52T2R datasheet?p=EMX52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.62 грн
14+22.06 грн
100+11.14 грн
500+8.52 грн
1000+6.32 грн
2000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.