Продукція > ROHM > EMZ1FHAT2R
EMZ1FHAT2R

EMZ1FHAT2R ROHM


ROHM-S-A0008997240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMZ1FHAT2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMZ1FHAT2R ROHM

Description: ROHM - EMZ1FHAT2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції EMZ1FHAT2R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EMZ1FHAT2R EMZ1FHAT2R Виробник : ROHM ROHM-S-A0008997240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - EMZ1FHAT2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMZ1FHAT2R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR EMZ1FHAT2R Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMZ1FHAT2R EMZ1FHAT2R Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0008997240_1-2562870.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS DIGITAL PNP+NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.