EMZ51T2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Frequency - Transition: 400MHz, 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMZ51T2R Rohm Semiconductor
Description: ROHM - EMZ51T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 400MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 350MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції EMZ51T2R за ціною від 5.26 грн до 32.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
EMZ51T2R | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 150mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN, PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: EMT6 Frequency - Transition: 400MHz, 350MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
EMZ51T2R | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP+NPN, SOT-563, Driver Transistor |
на замовлення 6285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EMZ51T2R | ROHM |
Description: ROHM - EMZ51T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 150 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 400MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 350MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| EMZ51T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: EMT6
Frequency - Transition: 400MHz, 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Description: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: EMT6
Frequency - Transition: 400MHz, 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.55 грн |
| 14+ | 21.79 грн |
| 100+ | 11.01 грн |
| 500+ | 8.42 грн |
| 1000+ | 6.25 грн |
| 2000+ | 5.26 грн |
| EMZ51T2R |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP+NPN, SOT-563, Driver Transistor
Bipolar Transistors - BJT PNP+NPN, SOT-563, Driver Transistor
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| EMZ51T2R |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMZ51T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 400MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 350MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - EMZ51T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 400MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 350MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



