EMZ7T2R Rohm Semiconductor


datasheet?p=EMZ7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Frequency - Transition: 320MHz, 260MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.99 грн
10+37.16 грн
100+24.04 грн
500+17.26 грн
1000+15.56 грн
2000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMZ7T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA, Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: EMT, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції EMZ7T2R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EMZ7T2R EMZ7T2R ROHM Semiconductor datasheet?p=EMZ7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 12V 500MA
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMZ7T2R EMZ7T2R ROHM emz7t2r-e.pdf Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMZ7T2R EMZ7T2R ROHM emz7t2r-e.pdf Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMZ7 T2R ROHM EMT6
на замовлення 106500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMZ7 T2R ROHM SOT663
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMZ7T2R datasheet?p=EMZ7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 12V 500MA
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMZ7T2R emz7t2r-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMZ7T2R emz7t2r-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMZ7 T2R
Виробник: ROHM
EMT6
на замовлення 106500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMZ7 T2R
Виробник: ROHM
SOT663
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.