Інші пропозиції EPC2012C за ціною від 76.15 грн до 262.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EPC2012C | Виробник : EPC |
 Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EPC2012C | Виробник : EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9 |
на замовлення 4429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC2012C | Виробник : EPC |
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
на замовлення 5801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|