Продукція > EPC > EPC2016C
EPC2016C

EPC2016C

EPC2016C_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+81.90 грн
7500+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2016C EPC

Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V.

Інші пропозиції EPC2016C за ціною від 71.83 грн до 280.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC2016C EPC2016C EPC EPC2016C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 31839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.06 грн
10+164.44 грн
50+126.67 грн
100+107.44 грн
500+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C EPC EPC2016C_datasheet.pdf
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+280.47 грн
10+140.76 грн
100+109.94 грн
500+90.15 грн
1000+87.22 грн
2500+75.49 грн
5000+71.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C_datasheet.pdf
EPC2016C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 31839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.06 грн
10+164.44 грн
50+126.67 грн
100+107.44 грн
500+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C_datasheet.pdf
EPC2016C
Виробник: EPC
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+280.47 грн
10+140.76 грн
100+109.94 грн
500+90.15 грн
1000+87.22 грн
2500+75.49 грн
5000+71.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.