EPC2023
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 291.62 грн |
| 1000+ | 274.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EPC2023 EPC
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V.
Інші пропозиції EPC2023 за ціною від 335.73 грн до 672.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EPC2023 | EPC |
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V |
на замовлення 6310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| EPC2023 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 672.62 грн |
| 10+ | 444.37 грн |
| 100+ | 335.73 грн |