Продукція > EPC > EPC2035
EPC2035

EPC2035

EPC2035_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.24 грн
7500+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2035 EPC

Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V.

Інші пропозиції EPC2035 за ціною від 33.64 грн до 154.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC2035 EPC2035 EPC EPC2035_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 20343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.24 грн
10+87.62 грн
50+66.09 грн
100+55.50 грн
500+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035 EPC EPC2035_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+154.77 грн
10+73.92 грн
100+57.02 грн
500+45.22 грн
1000+43.32 грн
2500+37.31 грн
5000+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035_datasheet.pdf
EPC2035
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 20343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.24 грн
10+87.62 грн
50+66.09 грн
100+55.50 грн
500+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035_datasheet.pdf
EPC2035
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+154.77 грн
10+73.92 грн
100+57.02 грн
500+45.22 грн
1000+43.32 грн
2500+37.31 грн
5000+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.