EPC2036
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 39.87 грн |
| 5000+ | 35.79 грн |
| 7500+ | 34.47 грн |
| 12500+ | 31.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EPC2036 EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.
Інші пропозиції EPC2036 за ціною від 32.28 грн до 148.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EPC2036 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 27357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EPC2036 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 |
на замовлення 11758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EPC2036 |
Транзистор GaNFET, Udss, В = 100, Rds, мОм = 65, Id, А = 1,7, C, пкФ = 90, Заряд, нКл = 0,91,... Транзистори Корпус: smd Очікується: 700 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| EPC2036 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 27357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.83 грн |
| 10+ | 86.85 грн |
| 100+ | 58.59 грн |
| 500+ | 43.63 грн |
| 1000+ | 39.98 грн |
| EPC2036 |
|
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 11758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.50 грн |
| 10+ | 93.81 грн |
| 100+ | 54.71 грн |
| 500+ | 43.39 грн |
| 1000+ | 39.80 грн |
| 2500+ | 35.80 грн |
| 5000+ | 32.28 грн |
| EPC2036 |
|
Транзистор GaNFET, Udss, В = 100, Rds, мОм = 65, Id, А = 1,7, C, пкФ = 90, Заряд, нКл = 0,91,... Транзистори Корпус: smd Очікується: 700 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 59.82 грн |