EPC2059
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 102.99 грн |
| 5000+ | 98.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EPC2059 EPC
Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, Supplier Device Package: Die, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85.
Інші пропозиції EPC2059 за ціною від 96.23 грн до 417.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EPC2059 | Виробник : EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4 |
на замовлення 2468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC2059 | Виробник : EPC |
Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 |
на замовлення 9234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EPC2059 | Виробник : EPC |
Transistor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C; EPC2059 TEPC2059 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|