EPC2069
Виробник: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 264.02 грн |
| 2000+ | 238.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EPC2069 EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE, FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): +6V, -4V, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції EPC2069 за ціною від 265.10 грн до 465.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EPC2069 | EPC |
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +6V, -4V Part Status: Not For New Designs FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 8111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| EPC2069 |
|
Виробник: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 465.72 грн |
| 10+ | 384.15 грн |
| 100+ | 320.15 грн |
| 500+ | 265.10 грн |