EPC2069
Виробник: EPCDescription: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 278.22 грн |
| 2000+ | 251.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EPC2069 EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Part Status: Not For New Designs, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V.
Інші пропозиції EPC2069 за ціною від 279.36 грн до 490.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EPC2069 | Виробник : EPC |
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE Packaging: Cut Tape (CT) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
на замовлення 8111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|