EPC2069
Виробник: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 263.37 грн |
| 2000+ | 237.65 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EPC2069 EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Part Status: Not For New Designs, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V.
Інші пропозиції EPC2069 за ціною від 98.21 грн до 464.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EPC2069 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
EPC2069 | EPC |
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE Packaging: Cut Tape (CT) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
на замовлення 8111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| EPC2069 |
|
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 339.48 грн |
| 10+ | 171.95 грн |
| 100+ | 135.59 грн |
| 500+ | 115.81 грн |
| 1000+ | 103.35 грн |
| 2000+ | 98.21 грн |
| EPC2069 |
|
Виробник: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 464.59 грн |
| 10+ | 383.22 грн |
| 100+ | 319.38 грн |
| 500+ | 264.46 грн |