Продукція > EPC > EPC2106
EPC2106

EPC2106

EPC2106_datasheet.pdf Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 17497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.47 грн
5000+50.99 грн
7500+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2106 EPC

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active.

Інші пропозиції EPC2106 за ціною від 48.32 грн до 189.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2106 EPC2106 Виробник : EPC EPC2106_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.28 грн
10+117.87 грн
100+70.42 грн
500+56.89 грн
1000+55.57 грн
2500+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106 Виробник : EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 17497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.04 грн
10+117.68 грн
100+80.73 грн
500+60.95 грн
1000+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.