EPC2106
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 56.96 грн |
| 5000+ | 51.43 грн |
| 7500+ | 50.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EPC2106 EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active.
Інші пропозиції EPC2106 за ціною від 48.74 грн до 200.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EPC2106 | EPC |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active |
на замовлення 13457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EPC2106 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| EPC2106 |
|
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 13457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.67 грн |
| 10+ | 118.70 грн |
| 100+ | 81.43 грн |
| 500+ | 61.47 грн |
| 1000+ | 57.64 грн |
| EPC2106 |
|
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 200.19 грн |
| 10+ | 127.78 грн |
| 100+ | 75.95 грн |
| 500+ | 61.68 грн |
| 1000+ | 57.39 грн |
| 2500+ | 51.20 грн |
| 5000+ | 48.74 грн |