EPC2110
Виробник: EPCDescription: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 73.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EPC2110 EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Drain to Source Voltage (Vdss): 120V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA, Supplier Device Package: Die.
Інші пропозиції EPC2110 за ціною від 71.86 грн до 234.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EPC2110 | Виробник : EPC |
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 120V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA Supplier Device Package: Die |
на замовлення 12120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|