EPC2110
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 76.10 грн |
| 7500+ | 69.28 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EPC2110 EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Drain to Source Voltage (Vdss): 120V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA, Supplier Device Package: Die.
Інші пропозиції EPC2110 за ціною від 65.53 грн до 259.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EPC2110 | EPC |
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 120V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA Supplier Device Package: Die |
на замовлення 8133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EPC2110 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| EPC2110 |
|
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 8133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 246.60 грн |
| 10+ | 154.24 грн |
| 50+ | 118.49 грн |
| 100+ | 100.39 грн |
| 500+ | 81.44 грн |
| EPC2110 |
|
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 259.95 грн |
| 10+ | 132.33 грн |
| 100+ | 101.15 грн |
| 500+ | 83.56 грн |
| 1000+ | 80.62 грн |
| 2500+ | 70.58 грн |
| 5000+ | 65.53 грн |