EPC2202

EPC2202


EPC2202_datasheet.pdf Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+90.29 грн
5000+ 83.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2202 EPC

Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +5.75V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції EPC2202 за ціною від 86.65 грн до 185.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EPC2202 EPC2202 Виробник : EPC EPC2202_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.39 грн
10+ 150.01 грн
100+ 121.31 грн
500+ 101.2 грн
1000+ 86.65 грн
Мінімальне замовлення: 2