EPC2202

EPC2202


EPC2202_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2202 EPC

Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): +5.75V, -4V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: Die, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: Die, Packaging: Tape & Reel (TR), Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.

Інші пропозиції EPC2202 за ціною від 97.32 грн до 263.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2202 EPC2202 EPC EPC2202_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 34345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.46 грн
10+166.24 грн
100+116.58 грн
500+97.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202 EPC2202_datasheet.pdf
EPC2202
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 34345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.46 грн
10+166.24 грн
100+116.58 грн
500+97.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.