EPC2203 Efficient Power Conversion
Виробник: Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 80V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin Die T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25000+ | 27.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EPC2203 Efficient Power Conversion
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA, Supplier Device Package: Die, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +5.75V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції EPC2203 за ціною від 22.29 грн до 105.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EPC2203 | Виробник : EPC |
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA Supplier Device Package: Die Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +5.75V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
EPC2203 | Виробник : EPC |
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA Supplier Device Package: Die Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +5.75V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 46023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|