EPC2203

EPC2203


EPC2203_datasheet.pdf Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.60 грн
5000+24.64 грн
7500+23.65 грн
12500+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2203 EPC

Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA, Supplier Device Package: Die, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +5.75V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції EPC2203 за ціною від 27.70 грн до 102.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2203 EPC2203 Виробник : Efficient Power Conversion epc2203_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 80V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin Die T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 25000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203 Виробник : EPC EPC2203_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.66 грн
10+62.69 грн
100+41.63 грн
500+30.61 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.