Продукція > EFFICIENT POWER CONVERSION > EPC2203
EPC2203

EPC2203 Efficient Power Conversion

epc2203_datasheet.pdf
Виробник: Efficient Power Conversion
Trans MOSFET N-CH GaN 80V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin Die T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 25000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2203 Efficient Power Conversion

Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +5.75V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції EPC2203 за ціною від 21.32 грн до 104.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2203 EPC2203 Виробник : EPC EPC2203_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.76 грн
10+63.69 грн
100+36.76 грн
500+28.87 грн
1000+26.31 грн
2500+23.47 грн
5000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203 Виробник : EPC EPC2203_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.36 грн
10+63.45 грн
100+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203 Виробник : EPC EPC2203_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.