Продукція > EPC > EPC2204
EPC2204

EPC2204

EPC2204_datasheet.pdf Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.29 грн
5000+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2204 EPC

Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, Supplier Device Package: Die, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V.

Інші пропозиції EPC2204 за ціною від 63.17 грн до 229.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2204 EPC2204 Виробник : EPC EPC2204_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 14783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.32 грн
10+145.13 грн
100+87.85 грн
500+74.60 грн
1000+71.12 грн
2500+63.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204 Виробник : EPC EPC2204_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 157295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.83 грн
10+144.27 грн
100+100.13 грн
500+76.26 грн
1000+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.