EPC2204

EPC2204


EPC2204_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 155000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+70.78 грн
5000+64.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2204 EPC

Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, Supplier Device Package: Die, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V.

Інші пропозиції EPC2204 за ціною від 62.72 грн до 228.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2204 EPC2204 Виробник : EPC EPC2204_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 14783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.72 грн
10+144.10 грн
100+87.23 грн
500+74.07 грн
1000+70.61 грн
2500+62.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204 Виробник : EPC EPC2204_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 157295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.19 грн
10+143.24 грн
100+99.41 грн
500+75.72 грн
1000+74.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 Виробник : EPC EPC2204_datasheet.pdf N-Channel 100 V 29A (Ta) Surface Mount Die Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.